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行業(yè)應(yīng)用

  • 粉末原子層沉積的應(yīng)用

    252023-12       粉末技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,已經(jīng)形成多樣化的制備及加工技術(shù)。其中,表面包覆技術(shù)作為提升粉末物理化學(xué)性能的重要手段,長(zhǎng)期以來(lái)一直缺乏有效的精密手段。與傳統(tǒng)的表面改性不同,粉末原子層沉積技術(shù)PA...

  • 原子層沉積技術(shù)——精準(zhǔn)、逐層“3D打印”催化劑!

    112023-12       原子層沉積技術(shù)(ALD),亦稱原子層外延技術(shù)(ALE),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。由于ALD沉積的絕大多數(shù)金屬和氧化物材料本身就是某些反應(yīng)中的催化劑,因此ALD在催化...

  • 原子層沉積(ALD)在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的應(yīng)用

    302023-11         隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高,晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小,溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),物理氣相沉積(PVD)及化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝已經(jīng)無(wú)法滿足極小尺寸下良好的...

  • MP-SPR應(yīng)用 - 植入材料表面癌細(xì)胞實(shí)時(shí)檢測(cè)與細(xì)胞粘附

    212023-11       植入物被植入人體后,會(huì)被蛋白質(zhì)和細(xì)胞覆蓋。為了了解這些界面上的相互作用,需要使用體外工具。允許動(dòng)態(tài)和靜態(tài)流動(dòng)條件的實(shí)時(shí)無(wú)標(biāo)簽平臺(tái)被用來(lái)了解細(xì)胞粘附,并以這種方式提高植入物的兼容性。同樣...

  • 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在光束敏感光電材料(雜化鹵化物鈣鈦礦)方面的應(yīng)用

    132023-11         鹵化物鈣鈦礦已成為下一代光電應(yīng)用(如太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管)的特殊候選者。鈣鈦礦薄膜在微觀和納米尺度上具有非均質(zhì)性。對(duì)納米尺度的理解是開(kāi)發(fā)和改進(jìn)這些新型材料的基礎(chǔ)。CL允許在高空...

  • 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在光伏材料方面的應(yīng)用

    242023-10         為了使光電(PV)發(fā)電提供世界能源需求的很大一部分,必須降低每瓦特產(chǎn)生的面板成本。低成本、高容量光伏發(fā)電的最佳前景是薄膜無(wú)機(jī)化合物,包括CdTe和Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)。這兩種材料...

  • 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在光電與薄膜電池材料的針孔檢測(cè)方面的應(yīng)用

    182023-10        對(duì)于光伏(PV)和薄膜電池(TFB)來(lái)說(shuō),要在成本上與化石燃料和傳統(tǒng)電池競(jìng)爭(zhēng),高制造成品率至關(guān)重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS層以及tbs的LiPON層的針孔導(dǎo)致良率損失和性能降低。掃描電...

  • 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)方面的應(yīng)用

    112023-10         20世紀(jì)下半葉見(jiàn)證了半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),這是由于半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)在發(fā)光方面的卓越性能。將維數(shù)降為點(diǎn)狀量子點(diǎn)(QDs),量子點(diǎn)與原子表現(xiàn)出有趣的相似之處,人們付出了巨大的努力來(lái)評(píng)估它們...

  • 離子檢測(cè)儀對(duì)核污染水檢測(cè)上的作用

    282023-08        8月24日,日本福島第一核電站核污染水排海計(jì)劃啟動(dòng),24日當(dāng)天的核污染水排放量預(yù)計(jì)為200到210噸,每日的排放情況將在次日公布。首次排海每天將排放約460噸,持續(xù)17天,合計(jì)排放約7800立方米核...

  • 陰極發(fā)光設(shè)備(SEM-CL)在ZnO納米線方面的應(yīng)用

    242023-08        由于ZnO具有寬的直接帶隙(3,37 eV)、大的激子結(jié)合能(60 meV)以及優(yōu)異的光學(xué)、壓電和光電性能等特性,越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域認(rèn)識(shí)到這種材料所帶來(lái)的好處,特別是在涉及半導(dǎo)體、壓電、光電和微納米...

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