CL-SEM陰極發(fā)光分析是一種高效的微觀檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、礦物、陶瓷及納米材料等領(lǐng)域。該系統(tǒng)可精準(zhǔn)分析材料晶格結(jié)構(gòu)、缺陷分布及摻雜狀態(tài)，為芯片研發(fā)、材料評(píng)估等提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。我司配備高分辨率CL-SEM系統(tǒng)，支持多波段光譜采集和定制化檢測(cè)方案，助力科研與生產(chǎn)中的材料表征需求。
缺陷檢測(cè)與分類
元素成分分布探測(cè)
材料內(nèi)部摻雜缺陷的檢測(cè)與分類
V型深坑測(cè)量
不同波長(zhǎng)下V坑分布成像分析
V坑的局域態(tài)密度探測(cè)分析
定量分析
晶體缺陷密度分析測(cè)量
帶隙隨材料的成分不同而變化
時(shí)間分辨測(cè)量(皮秒級(jí))
局部輻射和非輻射載流子壽命的測(cè)量
量子點(diǎn)中載流子能量弛豫過程的時(shí)間分辨測(cè)量
測(cè)樣服務(wù)說明：
2. 多個(gè)樣品檢測(cè)（≥2個(gè)）：按實(shí)際檢測(cè)項(xiàng)目收取基礎(chǔ)成本費(fèi)用
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