超高時間、空間分辨陰極熒光技術助力半導體激子和載流子動力學研究

從原子尺度對半導體材料的電子能帶結構和載流子動力學進行人工裁剪和調控，對于設計新型光電子功能器件和提升現有半導體光電子器件性能，尤其是小尺度的納米光電子器件。為了從實驗上直接證實應變梯度對半導體激子和載流子動力學的驅動效應，俞大鵬院士課題組利用超高時間／空間分辨的陰極熒光（TRCL）技術對純彎曲ZnO微/納米開展皮秒時間分辨的激子動力學開展了深入研究，首次從實驗上直接觀察到了應變梯度對激子的驅動效應，確立了半導體中應變梯度的重要作用，即應變梯度可有效用于調控半導體激子和載流子動力學特性，這對于設計開發(fā)各種新型半導體光電子器件具有十分重要的指導意義。

應用示例：

 –局部輻射和非輻射載流子壽命的測量 

– 半導體異質結構中的激發(fā)載流子動力學 

– 先進的泵浦光譜學